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元件参数资料
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参数目录40358
> DMN4027SSD-13 MOSFET 2N-CH 40V 5.4A SO8
型号:
DMN4027SSD-13
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET 2N-CH 40V 5.4A SO8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
DMN4027SSD-13 PDF
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
27 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
604pF @ 20V
功率 - 最大
1.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOP
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DMN4027SSD-13TR
查看DMN4027SSD-13代理商
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